高盛——中邦半导体行业：合于中邦高带宽内存（HBM）发扬的专家集会纪要——机缘、挑衅与价值趋向

　　2025年10月22日，高盛集团召开中邦HBM范畴专家电话集会，重点缠绕中邦企业正在DRAM（动态随机存取存储器）与HBM范畴的工夫差异、需冲破的合节瓶颈、环球DRAM市集价值走势及向HBM4工夫的转移打开筹商。高盛重申对中邦半导体行业资金开支（capex）的踊跃睹地，该趋向紧要由邦内人工智能（AI）工夫发扬及半导体需求延长驱动，并给出合连投资标的举荐。

　　专家示意，体系级验证是中邦发扬优秀HBM的重点难点之一，因需耗时测试并晋升HBM产物的良率、质料与牢靠性——即使环球领先HBM企业，与下逛GPU（图形打点器）客户实现HBM验证凡是也需数月。从装备端看，HBM临盆装备从呆板创设层面难度不高，但量产阶段的装备调试与良率晋升难度极大。HBM临盆所需装备涵盖：前端工艺的极紫外光刻机（EUV）、高K金属栅（High K Metal Gate）、原子层浸积（ALD）、化学呆板掷光（CMP）装备；后端工艺的硅通孔（TSV）装备与键合机。

　　专家指出，中邦DRAM企业今朝紧要聚焦1z至1a工夫节点，而韩邦企业已切入1b工夫节点，且即将向1c转移；HBM范畴，中邦企业已竣工HBM2量产，韩邦企业则正推动HBM3E/HBM4研发。更高的堆叠层数与更大的芯片尺寸，导致中邦企业难以竣工高良率，而良率晋升需永远实行与研发支持。综上，中邦企业与韩邦领先企业的工夫差异，DRAM范畴为数年，HBM范畴差异更长。

　　工夫层面，高K金属栅工艺与合用于超薄层的原子层浸积（ALD）工夫，是向DDR5（第五代双倍数据率同步动态随机存储器）转移的合节。但受装备节制，中邦企业临盆DDR5的本钱更高，难以正在环球市集取得价值上风。可是专家以为，中邦DRAM产物仍能正在邦内市集竣工落地行使。

　　专家示意，HBM3向HBM4的重点升级包罗：工夫节点向11n（即1c）转移；引脚速度晋升（宗旨为11Gb/s每引脚）。今朝HBM4研发重心即引脚速度晋升，但该宗旨难度较大，因涉及超薄高K金属栅、纷乱输入输出（I/O）打算等题目。下逛GPU企业对更高引脚速度的需求，重点是为下一代AI办事器竣工更高数据带宽。目前11Gb/s的引脚速度已能正在小批量样品中竣工，但要竣工量产及体系级行使，仍需更长时辰研发，且环球三大HBM企业均有各自的HBM4研发途途。

　　因HBM需求更高，环球内存企业正将更众产能转向HBM临盆，导致守旧内存产物产能低浸。专家理解，若HBM价值涨幅未达企业预期，企业会将产能从头转回守旧内存；反之则络续加码HBM。个中，HBM4的订价将成为影响守旧DRAM订价战略的合节身分。

　　• 中邦半导体资金开支：2025-2030年估计将撑持高位，每年约430-460亿美元；若智高手机、消费电子需求苏醒超预期，且邦内AI办事器需求进一步延长，存正在上行空间。

　　• 中邦半导体装备（WFE）市集：2026年估计范畴达410亿美元，个中浸积装备、刻蚀装备、光刻装备为最大细分市集；2025-2027年，中邦企业正在邦内半导体装备市集的营收占比估计将别离达26%、32%、36%。

　　• 中邦半导体供需：按价钱策画，2025年中邦本土半导体产能估计能知足邦内21%的需求，2030年这一比例估计将晋升至37%。

　　高盛发起买入三类标的，别离为：半导体装备（SPE）企业——中微公司（AMEC）、北方华创（NAURA）、盛美上海（ACMR）、华峰测控（Accotest）；晶圆代工场——中芯邦际（SMIC）、华虹半导体（Hua Hong）；中邦半导体重点企业——寒武纪（Cambricon）、地平线（Horizon Robotics）、豪威科技（OmniVision）。