今性格享的是：金元证券：碳化硅赋能AI财富：从芯片封装到数据核心的重心质料改革

　　金元证券宣告的《碳化硅赋能AI财富：从芯片封装到数据核心的重心质料改革》陈诉，体系分析碳化硅（SiC）正在AI财富的使用场景、商场领域、制作工艺及邦内财富体例，重心实质如下：

　　AI任职器单机柜功率从几十千瓦擢升至数百千瓦，对供电体系提出“胜过力、高功率密度、低损耗”需求，碳化硅仰仗耐高压、高频特质优、低损耗等上风，成为枢纽器件。

　　1. 电源供应单位（PSU）：正在任职器电源前端AC-DC变换中，无桥图腾柱PFC等拓扑需高耐压开合器件，SiC MOSFET因1200V及以上耐压技能成为首选。2025年数据核心PSU商场领域估计达75亿美元，2030年将升至141亿美元（CAGR 15.5%），此中高于3kW的高功率PSU占比将达80%（115亿美元）。台达、光宝、华为合计攻克50%商场份额，且头部厂商均已推出SiC干系PSU产物，宽禁带模块排泄率将从2025年10%擢升至2030年24%（33.84亿美元）。

　　2. 固态变压器（SST）：古代数据核心众级供电转换损耗高，SST可直接将10-35kV中压电转换为800V直流，简化配电链途。SiC模块正在SST高压AC-DC合键不成或缺，3.3kV或6.5kV SiC MOSFET模块可构修中压整流桥臂，完毕高效电能转换，英伟达、Delta等企业已推出干系SST样机。

　　3. 配电架构升级：数据核心从12V/48V低压直流向400V±/800V高压直流演进，谷歌、Meta等超大领域厂商已试点400V架构。SiC器件扶助高压直配，裁汰转换合键，维谛NetSure 9500等计划可扩展至600kW容量，低浸输电损耗。

　　高端GPU/AI芯片模块功耗达千瓦级，古代封装质料（硅、玻璃、有机树脂）正在散热、绝缘性上存正在瓶颈，碳化硅仰仗高热导、高绝缘特质成为潜正在处理计划。

　　1. 使用场景：一是举动芯片与热浸间的热界面质料（TIM2），室温热导率400-500W/m·K，比硅高3倍，可使GPU结温低浸20-30℃；二是代替硅中介层，半绝缘型SiC电阻率达10^8Ω·cm，裁汰信号串扰，适配GPU+HBM高速I/O需求。

　　2. 商场潜力：2025年环球CoWoS及类CoWoS封装产能估计达88.5万片（2024年42.6万片，CAGR 108%），若SiC一律代替TIM2与中介层，衬底及外延需求将为CoWoS产能的2倍（12英寸计）。目前面对12英寸晶圆量产、高密度流畅孔（TSV）刻蚀等工艺寻事，邦内天岳优秀已研制12英寸SiC衬底，激动技巧落地。

　　1. 制作工艺：衬底采用物理气相传输（PVT）法成长，需2000℃高温功课，坐蓐周期7-8天，北方华创攻克环球PVT配置61%商场份额；外延以化学气相浸积（CVD）为主，爱思强、ASM/LPE合计攻克62%外延配置商场，邦内北方华创、晶盛机电已推出干系配置。2024年碳化硅器件坐蓐配置领域达35.07亿美元，2026年将达峰值51.29亿美元，量检配置（2024年7.25亿美元）、外延配置（5.8亿美元）占比最高。

　　2. 衬底商场：导电N型衬底用量最大，8英寸衬底销量将从2024年4.61万片增至2030年70.4万片（CAGR 58%）。环球衬底商场聚合度高，Wolfspeed、天岳优秀、天科合达等五家企业占68%发售额（2024年），天岳优秀市占率16.7%，且领先研发12英寸衬底。

　　3. 器件商场：2024年环球碳化硅器件商场领域43.6亿美元，2030年将达229.45亿美元（CAGR 32%），意法半导体、安森美等海外企业合计占83%份额。邦内企业增速明显，芯联集成、三安集成2024年发售额同比诀别延长188%、55%，邦产代替空间广漠。

　　中邦举动新能源财富链大邦，碳化硅衬底市占率较高，但器件合键仍需冲破。环球财富链投资领域推广，邦内企业及外资正在华投资额约80亿美元，配置厂商依托邦产代替受益于产能扩张。技巧层面，邦内正在8英寸/12英寸衬底、外延配置等范围研发领先，天岳优秀、北方华创等企业造成技巧壁垒；使用端，除新能源范围外，AI数据核心、低空经济等新兴场景为碳化硅带来新增量，激动财富向笔直整合偏向发扬。